二極管和發光二極管的區別

時間：2022-09-24作者：上海寅涵智能科技發展有限公司瀏覽：279

上海寅涵智能科技發展有限公司專注于IGBT模塊,二極管,熔斷器,可控硅,晶閘管等

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• igbt功率模塊雙向可控硅BSM100GB60DLC 快速晶閘管

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• IGBT模塊是什么？

  IG是Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙較型晶體管）的縮寫，IG是由MOSFET和雙較型晶體管復合而成的一種器件，其輸入較為MOSFET，輸出較為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優點，既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優點，又具有雙較型器件飽和壓降低而容量大的優點，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內，

• 熔斷器的特點

  熔體額定電流不等于熔斷器額定電流，熔體額定電流按被保護設備的負荷電流選擇，熔斷器額定電流應大于熔體額定電流，與主電器配合確定。熔斷器主要由熔體、外殼和支座 3部分組成，其中熔體是控制熔斷特性的關鍵元件。熔體的材料、尺寸和形狀決定了熔斷特性。熔體材料分為低熔點和高熔點兩類。低熔點材料如鉛和鉛合金，其熔點低容易熔斷，由于其電阻率較大，故制成熔體的截面尺寸較大，熔斷時產生的金屬蒸氣較多，只適用于低分斷能