詞條
詞條說明
igbt功率模塊雙向可控硅BSM100GB60DLC 快速晶閘管
igbt功率模塊雙向可控硅BSM100GB60DLC 快速晶閘管?
SEMIKRONINTERNATIONAL GmbH由Fritz Martin博士創建于1951年,是一家的半導體器件制造商。賽米控公司總部位于德國紐倫堡,擁有**過3000名員工,是財政獨立的家族式企業。? ? ?賽米控在共有37家子公司,在德國、巴西、中國、法國、印度、意大利、韓國、斯洛伐克、南非和美國分別設有生產基地,共有8個方案解決中心(分別在:中國,美國,法國
IG是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙較型晶體管)的縮寫,IG是由MOSFET和雙較型晶體管復合而成的一種器件,其輸入較為MOSFET,輸出較為PNP晶體管,它融和了這兩種器件的優點,既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優點,又具有雙較型器件飽和壓降低而容量大的優點,其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz頻率范圍內,
熔體額定電流不等于熔斷器額定電流,熔體額定電流按被保護設備的負荷電流選擇,熔斷器額定電流應大于熔體額定電流,與主電器配合確定。熔斷器主要由熔體、外殼和支座 3部分組成,其中熔體是控制熔斷特性的關鍵元件。熔體的材料、尺寸和形狀決定了熔斷特性。熔體材料分為低熔點和高熔點兩類。低熔點材料如鉛和鉛合金,其熔點低容易熔斷,由于其電阻率較大,故制成熔體的截面尺寸較大,熔斷時產生的金屬蒸氣較多,只適用于低分斷能
公司名: 上海寅涵智能科技發展有限公司
聯系人: 蔣艷
電 話: 021-51096998
手 機: 18221423398
微 信: 18221423398
地 址: 上海浦東自由貿易試驗區芳春路400號1幢3層
郵 編:

功率晶閘管半導體IGBT模塊|一件也是批發價|FZ400R17KE3 400A

?IGBT-Module|現貨供應|FZ1200R16KF4 1200A

Infineon英飛凌IGBT模塊|一手貨源|FZ1800R16KF4 1800A

功率半導體igbt|一件也是批發價|FZ2400R17KE3 2400A

IGBT驅動電路|現貨供應|FZ1800R17KE3_B2 1800A

英飛凌igbt單管|貨源穩定|FZ800R16KF4 800A

大功率igbt高壓可控硅|原盒原包|FZ2400R17KF6C_B2 2400A

功率晶閘管半導體IGBT模塊|一手貨源|FZ1600R17KE3_B2 1600A