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IGBT結構N溝道增強型絕緣柵雙較晶體管結構, N+區稱為源區,附于其上的電極稱為源較(即**較E)。N基較稱為漏區。器件的控制區為柵區,附于其上的電極稱為柵較(即門較G)。溝道在緊靠柵區邊界形成。在C、E兩較之間的P型區(包括P+和P-區)(溝道在該區域形成),稱為亞溝道區(Subchannel region)。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區(Drain injector),它是IGBT特有
可控硅工作原理結構原件可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件,共有三個PN結,分析原理時,可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成,其等效圖解如右圖所示。雙向可控硅:雙向可控硅是一種硅可控整流器件,也稱作雙向晶閘管。這種器件在電路中能夠實現交流電的無觸點控制,以小電流控制大電流,具有無火花、動作快、壽命長、可靠性高以及簡化電路結構等優點。從外表上看,雙向可控硅和普通可控硅很相似,也有三個電
熔斷器俗稱保險絲或保險管。早的保險絲于一百多年前由愛迪生發明,由于當時的工業技術不發達白熾燈很貴重,所以,初是將它用保險絲來保護價格昂貴的白熾燈的。熔斷器保護電子設備不受過電流的傷害,也可避免電子設備因內部故障所引起的嚴重傷害。因此,每個熔斷器上皆有額定規格,當電流**過額定規格時保險絲將會熔斷。當介于常規不熔斷電流與相關標準規定的額定分斷能力(的電流)之間的電流作用于熔斷器時,熔斷器應能滿意地工作
二極管主要分類點接觸型二極管點接觸型二極管的PN結接觸面積小,不能通過較大的正向電流和承受較高的反向電壓,但它的高頻性能好,適宜在高頻檢波電路和開關電路中使用?。面接觸型二極管面接觸型二極管的PN結接觸面積大,可以通過較大的電流,也能承受較高的反向電壓,適宜在整流電路中使用?。平面型二極管平面型二極管在脈沖數字電路中作開關管使用時PN結面積小,用于大功率整流時PN結面積較大&n
公司名: 上海秦邦電子科技有限公司
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