IC封裝失效分析實驗室

時間：2020-04-13作者：儀準科技（北京）有限公司瀏覽：190

儀準科技（北京）有限公司專注于手動探針臺,probe,station等

• 詞條

  詞條說明

• 芯片失效分析方法匯總

  失效分析（FA）是一門發(fā)展中的新興學(xué)科，近年開始從**向普通企業(yè)普及。它一般根據(jù)失效模式和現(xiàn)象，通過分析和驗證，模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象，找出失效的原因，挖掘出失效的機理的活動。在提高產(chǎn)品質(zhì)量，技術(shù)開發(fā)、改進，產(chǎn)品修復(fù)及仲裁失效事故等方面具有很強的實際意義。其方法分為有損分析，無損分析，物理分析，化學(xué)分析等 失效分析的意義：分析機械零器件失效原因，為事故責(zé)任認定、偵破刑事犯罪案件、裁定賠償責(zé)任、保險業(yè)務(wù)

• 中國集成電路產(chǎn)業(yè)2019年完成情況

  據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計公布：2019年中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售收入為7562.3億元，同比增長15.80%，其中：設(shè)計業(yè)銷售收入為3063.5億元，同比增長21.6%，占總值40.5%；晶圓制造業(yè)銷售收入為2149.1億元，同比增長18.20%，占總值的28.40%；封測業(yè)銷售收入為2349.7億元，同比增長7.10%，占總值的31.1%。都**了較好的業(yè)績。 據(jù)海關(guān)統(tǒng)計，2019年中國集成電路進出

• 聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX

  聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標 一、技術(shù)指標 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離

• 失效分析2018年技術(shù)分享活動

  2018年失效分析技術(shù)分享活動，儀準科技自2012年在北京建立以來，一直受到半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)**們的支持與鼓勵，這6年來，有贊美，有夸獎，有磕絆，也有不足；感謝大家一直以來的包容與支持，**們之間的反饋與意見是我們進步的較大推動力。 我們也一直在半導(dǎo)體行業(yè)中努力吸收新鮮知識，緊跟行業(yè)潮流，完善公司設(shè)備及技術(shù)要求，盡我們的較大努力，去達到實驗標準。 儀準科技特此推出2018年年中的優(yōu)惠活動，以此來回饋新