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半導體技術公益課 2020年4月18日(周六) 題 目: 芯片流片前的物理驗證 簡 介: 1.**部分drc; 2.*二部分lvs; 時 長: 10分鐘 主 講 人: Allen 產品工程師 時 間 : 11:00-11:10 題 目:芯片失效分析方法及流程 簡 介:失效分析方法; 失效分析流程; 失效分析案例; 失效分析實驗室介紹。 分享時長:45分鐘 主 講人:趙俊紅就職于科委檢測中心,集成電
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術指標 一、技術指標 1、電子束電流范圍:1 pA - 400 nA; 2、電子束電壓:200eV-30 keV,具有減速模式 3、電子束分辨率:0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒; 5、離子束加速電壓500V-30kV(分辨率:3.0 nm); 6、離
樣品托 · 標準多功能樣品托,以*特方式直接安裝到樣品臺上,可容納18個標準樣品托架(φ12mm)、3個預傾斜樣品托、 2個垂直和2個預傾斜側排托架*(38°和90°),樣品安裝 *工具 · 每個可選的側排托架可容納6個S/TEM銅網 · 各種晶片和定制化樣品托可按要求提供* 系統控制 · 64位GUI(s 7)、鍵盤、光學鼠標 · 可同時激活多達4個視圖,分別顯示不同束圖像和/或信號, 真彩信
失效分析FA常用工具介紹;透射電鏡(TEM);TEM一般被使用來分析樣品形貌(morholog;與TEM需要激發二次電子或者從樣品表面**的電子;然后用這種電子束轟擊樣品,有一部分電子能穿透樣品;對于晶體材料,樣品會引起入射電子束的衍射,會產生;對于TEM分析來說*為關鍵的一步就是制樣;集成電路封裝的可靠性在許多方面要取決于它們的機械;俄歇電子(AgerAna 失效分析常用工具介紹 透射電鏡(TE
公司名: 儀準科技(北京)有限公司
聯系人: 趙
電 話: 01082825511-869
手 機: 13488683602
微 信: 13488683602
地 址: 北京海淀中關村東升科技園
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