4500V/6500V IGBT模塊產(chǎn)品額定電流為250A至1200A

時間：2020-11-24

作者：蘇州徳昇锘電子科技有限公司

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熔斷器供應商告訴你熔斷器原理與作用
常用的熔斷器(1)插入式熔斷器它常用于380V及以下電壓等級的線路末端，作為配電支線或電氣設備的短路保護用。(2)螺旋式熔斷器熔體上的上端蓋有一熔斷指示器，一旦熔體熔斷，指示器馬上彈出，可透過瓷帽上的玻璃孔觀察到，它常用于機床電氣控制設備中。螺旋式熔斷器。分斷電流較大，可用于電壓等級500V及其以下、電流等級200A以下的電路中，作短路保護。(3)封閉式熔斷器封閉式熔斷器分有填料熔斷器和無填料熔斷
igbt功率模塊是以絕緣柵雙較型晶體管（igbt）構成的功率模塊
由于igbt模塊為mosfet結構，igbt的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應用于伺服電機，變頻器，變頻家電等領域。?igbt是先進的第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、ups、開關電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史，幾乎己替代一切其它功率器件，例s
4500V/6500V IGBT模塊產(chǎn)品額定電流為250A至1200A
4500V/6500V IGBT模塊產(chǎn)品支持不同拓撲結構的IGBT模塊，額定電流為250A至1200A?4500V/6500V IGBT模塊產(chǎn)品采用新型外殼封裝的大功率IGBT模塊設計旨在覆蓋3.3kV到6.5kV的全電壓范圍。新型封裝的產(chǎn)品預計將主要應用在工業(yè)級驅動、牽引、可再生能源和電力傳輸?shù)阮I域。IHM / IHV系列涵蓋了所有可能的逆變器功率大小，支持單開關模塊、半橋模塊、斬波器
可控硅的好壞如何判斷？
方法一：測量極間電阻法將萬用表置于皮R×1k檔，如果測得T2－T1、T2－G之間的正反向電阻接近∞，而萬用表置于R×10檔測得T1－G之間的正反向電阻在幾十歐姆??時，就說明雙向可控硅是好的，可以使用；反之：1、若測得T2－T1，、T2－G之間的正反向電阻較小甚或等于零．而Tl－G之間的正反向電阻很小或接近于零時．就說明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用；2、如果測得T1