MOS場效應(yīng)管檢測方法

時間：2021-10-26作者：深圳市維品佳科技有限公司瀏覽：515

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  詞條說明

• 7805晶體管的特征

  7805晶體管的特征：輸出電流可達(dá)1.5A不需外接補償元件內(nèi)含限流保護(hù)電流，防止負(fù)載短路燒毀元件內(nèi)含高溫過熱保護(hù)電路，防止結(jié)溫過熱燒毀器件內(nèi)含功耗限制電路，防止燒毀輸出驅(qū)動器晶體管7805晶體管plc輸出除了外部電源與負(fù)載電源一致以外的，其他輸出不能直接與負(fù)載相連接，它的輸出端與com端在沒有輸出的情況下是半導(dǎo)通狀態(tài)，接交流負(fù)載常導(dǎo)通，這個新手一定注意。它一般通過中繼與負(fù)載連接，此時的中繼為直流類

• 如何分辨肖特基二管的好壞

  肖特基二管 是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的是近年間世的低功耗、大電流、高速半導(dǎo)體器件。其反向恢復(fù)時間短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航档蛢H0.4V左右，而整流電流卻可達(dá)到幾千安培，能作開關(guān)二管和低壓大電流整流二管使用，這些優(yōu)良特性是快恢復(fù)二管所無法比擬的。完整的叫法是：肖特基整流二管（Schottky Rectifier Diode）縮寫成SR；也有叫做肖特基勢壘二管（Schot

• 內(nèi)建頻率抖動功能可降低EMI的芯片CR6889B

  啟達(dá)啟臣微CR6889B高能效綠色節(jié)能PWM控制器特性? 較低的啟動電流 (大約3μA)? 軟啟動減少開機時MOSFET的漏源電壓應(yīng)力? 內(nèi)建同步斜坡補償，消除次諧波震蕩? 內(nèi)建頻率抖動功能，降低EMI? 內(nèi)置65kHz開關(guān)頻率? 輕載降低工作頻率? VDD過壓保護(hù)和輸出過壓保護(hù)功能? 內(nèi)置消隱電路? 內(nèi)置輸出二管短路保護(hù)? 過載保護(hù)? CR6889B?SOT23-6L封裝CR6889B

• 啟達(dá)原邊QR模式PWM過來開關(guān)CR3346內(nèi)置650V做5V2A

  啟達(dá)原邊QR模式PWM過來開關(guān)CR3346內(nèi)置650V做5V2ACR3346 ?芯片特性：● CR3346 是內(nèi)置 650V 功率 MOS 管，反激式 QR 原邊控制 PWM 功率開關(guān)；● 內(nèi)置軟啟動，內(nèi)置斜坡補償電路，內(nèi)置過功率補償；● 多模式控制的能效均衡技術(shù)，低待機率滿足能效要求；● 具有“軟啟動、OCP、SCP、OTP、OVP 自動恢復(fù)等保護(hù)功能；● 電路結(jié)構(gòu)簡單、較少的外圍元器