小課堂之CMOS芯片檢測

時間：2022-12-07

作者：深圳海木芯科技有限公司

詞條
詞條說明
MEMS與傳統CMOS刻蝕與沉積工藝的關系
1 MEMS 比 CMOS 的復雜之處MEMS 與 CMOS的根本區別在于：MEMS 是帶活動部件的三維器件，CMOS 是二維器件。因此，雖然許多刻蝕和沉積工藝相似，但某些工藝是 MEMS *有的，例如失效機理。舉個例子，由于 CMOS 器件沒有活動部件，因此不需要釋放工藝。正因為如此，當活動部件“粘”在表面上，導致設備故障時，就會產生靜摩擦，CMOS 沒有這種問題。CMOS 器件是在硅材料上逐層
CMOS工藝流程介紹
CMOS的制作需要經過一系列的復雜的化學和物理操作，而做為一名集成電路版圖（ic layout）工程師，系統的了解這個在半導體制造技術中具有代表性的CMOS工藝流程是非常有必要的。只有熟悉了工藝流程才會了解各層次之間的關系，才會在IC Layout的繪制中考慮到版圖中各層次對流片產生的影響。1初始清洗將晶圓放入清洗槽中，利用化學或物理方法將在晶圓表面的塵粒或雜質去除，防止這些雜質塵粒對后續制造工藝
CMOS微縮結束了嗎？
不可否認的是，CMOS的微縮已經成為推動過去幾十年的巨大進步的“燃料”，以提高性能、效率和降低集成電路和系統的成本，從而實現新的應用。摩爾定律的終結已經被預言了很多次，而材料、設備概念和圖案的創新已經為當前的10nm以下技術掃清了道路。然而，該行業已經到了這樣一個階段:過去50年的規模化所帶來的功耗、性能、面積和成本(PPAC)方面的典型收益已經變得越來越難以實現，尤其是在展望未來3nm技術的時候
SOI CMOS結構和工藝
常規的CMOS結構中，電源與地之間存在寄生的PNPN即SCR結構。當SCR被觸發時，電源到地之間存在低阻通道，引起較大電流，破壞電路工作甚至燒毀電路，這就是閂鎖效應 (Latch-up)。為避免閂鎖效應，早期采用SOS (Silicon On Sapphire) 技術制作CMOS電路，即在藍寶石絕緣襯底上外延硅，之后制作器件，這就有效的避免MOS管的源、漏區和襯底之間形成PN結。但是，藍寶石價格昂